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用途別一覧

Teer Coating スパッタリング装置

 

TEER COATINGS社 UDP装置

英国TEER COATINGS社が開発したClosed Field Unbalanced Magnetron Sputter Ion Plating(CFUBMSIP)装置は緻密で高度が高く密着力に優れた膜を形成することができます。
Graphit-iCTM(DLC), MoSTTMの成膜に最も適した装置です。

成膜可能な材料

  • 金属
  • 金属の窒化膜、炭化膜、窒素化膜、酸化膜
  • 合金
  • Graphit-iCTM(DLC)
  • MoSTTM
  • その他 傾斜組成膜、多層膜

装置の特長

  • 全自動コンピュータ制御が可能です。
  • 低温成膜が可能です。
  • ターゲットの種類を変えることにより、様々な種類の材料を成膜することが可能です。
  • 傾斜組成膜、多層膜のコーティングが可能です。

cfusys

※CFUBMIP : Close Field UnbalancedMagnetron Sputter Ion Plating system

製品ラインナップ

機種名 用途 マグネトロン数 チャンバーサイズ(mm)
UDP650/4 研究開発用途 4 φ 650xH650
UDP850/6 量産機 6 φ 850xH850
UDP900/6 量産機 6 φ 900xH900
UDP1100/6 大容量量産機 6 φ 900xH1100
dlc-device01
量産装置
dlc-device02
研究装置

UDP装置システムの概要

チャンバー 二重構造、縦型のステンレス円筒構造(温/冷)水循環保温可能
マグネトロン蒸発源 独自設計のアンバランスマグネトロン”Plasmag”を閉磁路構成になるように配置(CFUBMSIP)
試料(基板)ホルダー RF及びDCバイアスに対応した中心単軸回転機構(二軸又は三軸遊星回転機構はオプションで取り付け可能)
ガス供給制御 高速応答性ピエゾバルブ駆動方式MFC(マスフロコントローラー)を用い流量コントロールを行います。
電源 スパッター用: アドバンスドエナジー社DCパワーユニット
バイアス用:アドバンスドエナジー社パルスドDCパワーユニットでRF電源(切替え方式)を装備することも可能
排気系 エドワード社製高性能ディフュージョンポンプを搭載(クライオ又はターボポンプはオプション仕様
又、ポリコールドチラーも取り付け可能)

Graphit-iCTM(DLC)、MoSTTMの他にも各種の金属、酸化物、窒化物、合金等のコーティングが可能ですので何なりとお問い合せ下さい。

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